Dynamic random access memory: diferenças entre revisões
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{{Tipos de memória}}
'''DRAM''' é um tipo de [[memória RAM]] de acesso direto que armazena cada [[bit]] de dados num [[condensador]] ou [[capacitor]]. O número de [[
Embora esse fenômeno da perda de carga não ocorra nas memórias RAM estáticas ([[SRAM]]), as DRAM possuem a vantagem de terem custo muito menor e densidade de bits muito maior, possibilitando em um mesmo espaço armazenar muito mais [[bits]] (o que em parte explica o menor custo) e a sua simplicidade estrutural com apenas um [[transistor]] e um [[capacitor]] necessários para cada bit (ao contrário dos 4 transistores da SRAM).<ref name="Borucki1">Borucki, "Comparison of Accelerated DRAM Soft Error Rates Measured at Component and System Level", 46th Annual International Reliability Physics Symposium, Phoenix, 2008, pp. 482–487</ref>
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== Historia ==
Durante a segunda Guerra Mundial em bletchley park aonde se encontrava a “Ultra inteligência” do reino unido, foi usada uma máquina chamada cryptanalytic cujo
Arnold Farber e Eugene Schlig em 1964, enquanto trabalhavam para IBM criaram uma célula de memória hard-wired, usando uma porta do transistor e diodo túnel trinco, substituíram a trava por dois transistores e duas resistências que ficou conhecido como céluala-farber schilig. No ano de 1965 Benjamin Agusta juntamente com sua equipe da IBM projetaram e criaram um chip de memória de silício de 16 bits tendo como base a configuração de célula-Farber Schlig com 80 transistores, 64 resistores e quatro diodos. No ano seguinte em 1966 a primeira DRAM foi inventada pelo Dr Robert Dennard no IBM Thomas J. Watson Research Center que foi-lhe concebido patente dos EUA número 3.387.286 em 1968.<ref name="Spec Sheet for Toshiba">Spec Sheet for Toshiba "TOSCAL" BC-1411</ref>
== Características ==
DRAM é feita normalmente em uma matriz retangular de células aonde armazenam cargas, montados por um condensador e o transistor por bit de dados. Há várias filas horizontais longas que se ligam as linhas são chamadas por linhas de texto. A cada coluna de células e construída por duas linhas de bits, cada um ligado a todas as outras células de armazenamento na coluna.<ref name="UNICSMP">http://www.demic.fee.unicamp.br/~elnatan/ee610/12a%20Aula.pdf</ref>
Até o final dos anos 80, a memória DRAM era feita com o encapsulamento DIP, que tinha que ser encaixada na placa-mãe. Logo depois surgiu o encapsulamento SIPP, que deu lugar, por sua vez, ao encapsulamento
SIMM. Com o SIPP (Single In-Line Pin Package), surgiu o que é chamado módulos de memória, que eram vários chips de DRAM numa fileira de terminais que se encaixavam num soquete. Esse tipo de encapsulamento foi bastante usado até o início dos anos 90. Visualmente, pode ser uma mistura do que é o DIP e o SIMM. Existem chips de memória com 1, 4, 8, 9, 32 ou 36 bits.
O SIMM surgiu por volta de1992 e, até hoje, os chips de memória que compõem as placas adaptadoras são do tipo DIP (Dual In-Line Package). Entre 1992 e 1994, usou-se muito os módulos de memória SIMM pequenos, de 30 pinos. Colocar 4MB significa adquirir 4 módulos de 1MB e colocar no BANK0.<ref name="bate byte">http://www.batebyte.pr.gov.br/modules/conteudo/conteudo.php?conteudo=1839</ref>
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▲Entre 1992 e 1994, usou-se muito os módulos de memória SIMM pequenos, de 30 pinos. Colocar 4MB significa adquirir 4 módulos de 1MB e colocar no BANK0.<ref name="bate byte">http://www.batebyte.pr.gov.br/modules/conteudo/conteudo.php?conteudo=1839</ref>{{referências}}
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