Centro-A
Um centro A' é um tipo de defeito cristalográfico complexo em silício que consiste em um defeito de espaço vazio[1][2] e uma impureza no átomo de oxigênio.[3][4] Em geral, o oxigênio no silício é intersticial, no qual o átomo de oxigênio rompe a ligação covalente entre dois átomos de silício adjacentes e está preso no meio.[5] Centro A é visível em espectros infravermelhos com um comprimento de onda de 12 μm.[6]
Referências
- ↑ Hong, J.; Hu, Z.; Probert, M.; Li, K.; Lv, D.; Yang, X.; Gu, L.; Mao, N.; Feng, Q.; Xie, L.; Zhang, J.; Wu, D.; Zhang, Z.; Jin, C.; Ji, W.; Zhang, X.; Yuan, J.; Zhang, Z. (2015). «Exploring atomic defects in molybdenum disulphide monolayers». Nature Communications. 6. 6293 páginas. Bibcode:2015NatCo...6E6293H. PMC 4346634
. PMID 25695374. doi:10.1038/ncomms7293
- ↑ Ehrhart, P. (1991) "Properties and interactions of atomic defects in metals and alloys", chapter 2, p. 88 in Landolt-Börnstein, New Series III, Vol. 25, Springer, Berlin
- ↑ Watkins, G. D.; Corbett, J. W. (1961). «Defects in Irradiated Silicon. I. Electron Spin Resonance of the Si-A Center». Physical Review. 121. doi:10.1103/PhysRev.121.1001
- ↑ «Crystal Symmetry» (PDF). Consultado em 29 de abril de 2019
- ↑ Bemski, Feher, and Gere, Bull. Am. Phys. Soc. Ser. II, 3, 135, (1958)
- ↑ Watkins, G. D.; Corbett, J. W. (1961). «Defects in Irradiated Silicon. II. Infrared Absorption of the Si-A Center». Physical Review. 121. doi:10.1103/PhysRev.121.1015
